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J-GLOBAL ID：201802269615322477   整理番号：18A0137901

超低電力CMOS埋込みMEMSセンサの検出特性に及ぼす多結晶SiGeの影響【Powered by NICT】

The effects of poly-SiGe on sensing properties for ultra-low-power CMOS-embedded MEMS sensors

著者 (8件)： Kurui Yoshihiko (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Tomizawa Hideyuki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Fujimoto Akira (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Saito Tomohiro (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Kojima Akihiro (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Ikehashi Tamio (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Sugizaki Yoshiaki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan) ,  Shibata Hideki (Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation, 1, Komukai Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8583, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSENS  ページ： 1-3  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20pm厚を有するMEMS構造材料としてSiとポリSiGeを比較するために,CMOS標準プロセスと測定した静電容量感度同一センサ設計を用いた8インチSi基板上に容量性加速度計を作製した。その結果,SiGeセンサの感度は,Siセンサのそれよりも2.1倍大きいことが分かった。もSiGeセンサは低騒音レベルと低電力消費を達成できることを確認し,CMOS埋め込みSiGe MEMS構造のSiGeとアベイラビリティの高い質量密度のためである。結果はポリSiGe膜は将来のCMOS埋め込みセンサ技術応用のための有望な候補であることを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  *ケイ素 ,  構造材料 ,  騒音レベル ,  加速度計 ,  *多結晶 ,  *MEMS ,  *CMOS ,  静電容量
準シソーラス用語： 質量密度 ,  低電力化 ,  シリコンウエハ ,  *シリコンゲルマニウム ,  *MEMSセンサ ,  超低消費電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低電力 ,  CMOS ,  埋込み ,  MEMSセンサ