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J-GLOBAL ID:201802269743027447   整理番号:18A0931476

酸化インジウムスズナノ粒子と銀ナノワイヤの積層電極による金属酸化物薄膜トランジスタの電荷注入の改善【JST・京大機械翻訳】

Improved Charge Injection of Metal Oxide Thin-Film Transistors by Stacked Electrodes of Indium Tin Oxide Nanoparticles and Silver Nanowires
著者 (5件):
資料名:
巻:号:ページ: e1700440  発行年: 2018年 
JST資料番号: W2482A  ISSN: 2199-160X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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溶液処理した透明電極を,ソースおよびドレイン電極として溶液処理したインジウムガリウム亜鉛オキシド(IGZO)薄膜トランジスタと互換性のある,100°Cの低いプロセス温度で酸化インジウムスズナノ粒子(ITO-NPs)と銀ナノワイヤ(Ag NW)を組み合わせて開発した。ITO-NPsとAg NWの種々の積層を有する4つの構造を研究した。唯一のITO-NPsは,移動度,しきい値電圧,およびサブ閾値スイングを含むデバイスの導電性電気特性を与えることができないが,Ag NWの上/下でITO-NPsを用いることにより改善される。移動度は,0.004cm~2V~-1s-1(単層)から3.42cm~2V~-1s-1(三重層)までのハイブリッド電極構造を採用することによって強化される。紫外光電子分光法とUV-vis測定により,ITO-NP/IGZOヘテロ接合が形成されたとき,界面における電荷キャリア濃度の増加を確認するための電子構造を明らかにした。ITO-NP層は,IGZOとAg NW層の間のバッファ層として作用し,接触抵抗を低減するための電荷注入を容易にし,一方,Ag NWは伝導率を供給する。これらはHall測定と接触抵抗抽出によっても確認された。ここで開発したハイブリッド電極は,真空システムを除く低コストプロセスの利点を持つ透明で柔軟なエレクトロニクスに向けての溶液処理透明電極の有望なアプローチである。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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トランジスタ 

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