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J-GLOBAL ID：201802269796889597   整理番号：18A2107408

フラッシュX線測定のための広バンドギャップ半導体検出器の最適化【JST・京大機械翻訳】

Wide Bandgap Semiconductor Detector Optimization for Flash X-Ray Measurements

著者 (2件)： Roecker C. (ISR-1, Los Alamaos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545) ,  Schirato R. (ISR-1, Los Alamaos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87545)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSS/MIC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷トラッピングは,減少した空間依存電場をもたらし,広いバンドギャップ半導体検出器に対する関心事である。種々の温度と放射環境でのこの劣化を特性化するために重要な研究が行われているが,本研究はフラッシュX線環境における事象-事象応答を調べることに集中している。電荷トラッピングがCZT検出器の問題であるかどうか,特に低温でのフラッシュX線放射場に重点を置いて研究した。結果をAm-241アルファ源と類似の温度遷移を用いて非フラッシュ放射場と比較した。応答変化が起こったかどうかを決定する能力は,著者らのフラッシュX線システムの再現性によって妨げられた。Am-241源で小さな応答性が観察された。これらの結果の対比により,高放射環境の存在下でAm-241測定を再訪問する過程にある。応答変化が高放射環境においてより顕著であるならば,異常試験はフラッシュX線環境において実行される。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  *半導体検出器 ,  低温 ,  *最適化 ,  キャラクタリゼーション ,  *検出器 ,  再現性 ,  放射場 ,  *X線 ,  電場 ,  応答特性
準シソーラス用語： アメリシウム241 ,  X線装置 ,  X線放射 ,  電荷捕獲 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： フラッシュ ,  X線 ,  バンドギャップ ,  半導体検出器 ,  最適化