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J-GLOBAL ID：201802269815151872   整理番号：18A1446733

急速光熱アニーリングによるシリコンベースゲルマニウム薄膜の機構研究【JST・京大機械翻訳】

Study on the mechanism of preparation of silicon based germanium thin films by rapid thermal

著者 (8件)： Wang Congjie (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Chen Nuofu (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Wei Lishuai (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Tao Quanli (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  He Kai (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Zhang Hang (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Bai Yiming (華北電力大学 可再生能源学院,北京,102206) ,  Chen Jikun (北京科技大学 材料学院,北京,100083)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 49  号： 4  ページ： 4179-4183  発行年： 2018年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングにより,単結晶シリコン基板上にグラファイトバッファ層をスパッタリングし,次に,Ge薄膜を,グラファイト層上にスパッタリングし,次に,急速光熱アニーリングおよび通常の熱アニーリングにより,Ge薄膜の後処理を行った。X線回折とRaman分光測定により、異なるアニーリング条件下の薄膜の結晶化状況を研究し、薄膜結晶化における光子の役割を明らかにした。研究により、光量子効果がゲルマニウム薄膜の結晶化に結晶化作用があり、結晶化作用もあることが分かった。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光子 ,  結晶化 ,  Raman分光法 ,  後処理 ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  グラファイト ,  *高速度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *ゲルマニウム ,  バッファ層
準シソーラス用語： *熱アニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： silicon-based germanium film ,  conventional thermal annealing ,  rapid thermal annealing ,  photon quan-tum effect

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 熱アニーリング ,  薄膜 ,  研究