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J-GLOBAL ID：201802269959957212   整理番号：18A1358446

タンタル二カルコゲン化物van der Waals TAS_2/Tase_2及びTase_2/Tate_2ヘテロ構造の電子構造に及ぼす電場効果【JST・京大機械翻訳】

Electric field effects on electronic structure of tantalum dichalcogenides van der Waals TaS₂/TaSe₂ and TaSe₂/TaTe₂ heterostructures

著者 (3件)： Xue Xiaoping (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electrical and Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Wang Xiaocha (Tianjin Key Laboratory of Film Electronic & Communicate Devices, School of Electrical and Electronic Engineering, Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China) ,  Mi Wenbo (Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional Materials Physics and Preparation Technology, School of Science, Tianjin University, Tianjin 300354, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 455  ページ： 963-969  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals(vdW)TaS_2/TASE_2とTASE_2/TaTe_2ヘテロ構造の電子構造を,種々の電場での第一原理計算によって研究した。すべての単分子層1T-TaX_2,TaS_2/TASE_2及びTASE_2/TaTe_2ヘテロ構造は金属であり,Fermi準位はゼロ電場で伝導帯を横切っている。スピン分裂は,-0.1から-0.5V/Åの電場でTaS_2/TASE_2ヘテロ構造に現れ,電場の増加とともに徐々に減少した。一方,電場が0.1から0.3V/Åに増加すると,スピン分裂はゆっくりと増加する。さらに,TASE_2/TaTe_2ヘテロ構造のバンド構造は,TASE_2/TaTe_2と類似していた。しかし,0.3V/Åの電場では,TASE_2/TaTe_2vdWヘテロ構造は0.690eVのギャップをもつ間接バンドギャップ半導体であり,電場がバンド構造に大きな影響を及ぼすことを示唆した。著者らの結果は,ナノ電子デバイスのためのより重要な基礎をもたらすことができる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  *電場 ,  *電子構造 ,  *電場効果 ,  半導体 ,  単分子層 ,  計算 ,  Fermi準位 ,  伝導バンド ,  *カルコゲン化物
準シソーラス用語： *ヘテロ構造 ,  第一原理計算 ,  スピン分裂 ,  間接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 二次元材料 ,  ヘテロ構造 ,  電場 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： タンタル ,  カルコゲン化物 ,  VAN ,  ヘテロ構造 ,  電子構造 ,  電場効果