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J-GLOBAL ID：201802270400408449   整理番号：18A1928402

高Q値フォトニック結晶ナノ共振器を用いたラマンシリコンレーザーの高出力化

Increasing the output power of Raman silicon laser using high-Q photonic crystal nanocavity

著者 (1件)： 高橋和 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 旭硝子財団助成成果報告書(Web)
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.62 (WEB ONLY)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0002A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： スマート社会の構築に向けて,これまで銅配線で行ってきたデータ伝送を,シリコンフォトニクスを導入した光配線に切り替えていくことが重要である。本研究では,実用的なシリコンレーザーの実現に向けて,2013年に我々が開発した高Q値ナノ共振器を用いたラマンシリコンレーザーの出力を,0.1μWから10μWまで向上することを目指した。卓越したプロセス技術と顕微分光技術を用いて,出力向上に向けた物理の解明を行いつつ,最適Q値と動作波長の探究,ナノ共振器構造の改良,表面状態の制御技術などを開発して,最終的に,出力を1.0μW程度まで向上できた。明らかとなった改善手法を組み合わせれば,出力10μWを達成できる目途を立てた。(著者抄録)

シソーラス用語： *Q値 ,  *光共振器 ,  *微小共振器 ,  *高出力レーザ ,  *オプトエレクトロニクス ,  配線 ,  レーザ出力 ,  *Ramanレーザ ,  閾値 ,  距離 ,  半導体薄膜 ,  構成 ,  顕微分光分析
準シソーラス用語： *シリコンフォトニクス ,  シリコン薄膜 ,  *ナノ共振器 ,  *フォトニック結晶共振器 ,  光配線 ,  周波数差 ,  薄膜形成

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (11件)：

• H. Rong, R. Jones, A. Liu, O. Cohen, D. Hak, A. Fang, and M. Paniccia, Nature 433, 725 (2005).
• H. Rong, S. Xu, Y. Kuo, V. Sih, O. Cohen, O. Raday, and M. Paniccia, Nature Photon. 1, 232 (2007).
• Y. Takahashi, Y. Inui, M. Chihara, T. Asano, R. Terawaki, and S. Noda, Nature 498, 470 (2013).
• Y. Takahashi, Y. Inui, M. Chihara, T. Asano, R. Terawaki and S. Noda, Phys. Rev. B 88, 235313 (2013).
• Daiki Yamashita, Yasushi Takahashi, Takashi Asano, and Susumu Noda, Optics Express, 23, 3951-3959 (2015).

タイトルに関連する用語 (4件)： Q値 ,  フォトニック結晶 ,  ナノ共振器 ,  高出力化