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J-GLOBAL ID：201802270809881682   整理番号：18A1620766

Si-InAsナノワイヤトンネルFETにおけるランダムドーパント誘起可変性:量子輸送シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Random Dopant-Induced Variability in Si-InAs Nanowire Tunnel FETs: A Quantum Transport Simulation Study

著者 (8件)： Carrillo-Nunez Hamilton (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Lee Jaehyun (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Berrada Salim (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Medina-Bailon Cristina (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Adamu-Lema Fikru (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Luisier Mathieu (Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland) ,  Asenov Asen (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.) ,  Georgiev Vihar P. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 9  ページ： 1473-1476  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,Si-InAsナノワイヤp型トンネルFETに及ぼすランダム離散ドーパント(RDDs)の影響の量子輸送シミュレーション研究を報告した。バンド間トンネリングを有効質量近似における非平衡Green関数定式化を用いてシミュレートし,虚部分散の2バンドモデルを実行した。RDDsはオフ状態だけでなく,TFETsのON状態電流においても強い可変性を誘起することを見出した。従来のCMOSトランジスタにおけるRD誘起ON電流変化のほぼ正規分布とは対照的に,TFETのON電流変化は対数分布により記述される。また,しきい値電圧やサブ閾値スイングなどの他の性能指数(FoM)の分布も報告した。ドーパントの数と位置の間の相関を調べることにより,FoMの変動性を解析した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 正規分布 ,  *ヒ化インジウム ,  対数 ,  *シミュレーション ,  *ナノワイヤ ,  電流 ,  定式化 ,  *ドーパント
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  オフ状態 ,  非平衡Green関数 ,  有効質量近似 ,  *量子輸送 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： Si ,  InAs ,  ナノワイヤ ,  トンネルFET ,  ドーパント ,  誘起 ,  可変性 ,  量子輸送 ,  シミュレーション ,  研究