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J-GLOBAL ID：201802271077436754   整理番号：18A0932040

Si/Au人工超格子薄膜の優れた熱起電力の必要条件

Necessary conditions for superior thermoelectric power of Si/Au artificial superlattice thin-film

著者 (5件)： OKAMOTO Yoichi (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  OKAMOTO Yoichi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  WATANABE Shin (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  MIYAZAKI Hisashi (National Defense Acad., Kanagawa, JPN) ,  MORIMOTO Jun (National Defense Acad., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 035801.1-035801.8  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si-Ge-Au三元人工超格子薄膜は,優れた熱起電力を低い再現性で示した。優れた熱起電力は,ナノ結晶が存在するときのみ発生した。したがって,優れた熱起電力の起源はナノ結晶の量子サイズ効果であると考えられた。しかし,ナノ結晶が存在しても優れた熱起電力はしばしば発生しなかった。より詳細に優れた熱起電力の発生条件を調べるために,試料をSi-Au人工超格子試料に単純化した。さらに,ナノ結晶が形成されるような条件下でアニーリングを行なった。Raman散乱分光法とX線回折(XRD)分析の結果から,ナノ結晶の直径とナノ結晶間の間隔を等方的三次元モザイクモデルで計算した。ナノ結晶の直径が11nm以下で,ナノ結晶間の間隔が3nm以下であるときのみ優れた熱起電力が発生することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  *ケイ素 ,  *金 ,  *ゲルマニウム ,  *熱起電力 ,  *ナノ結晶 ,  Raman散乱 ,  X線回折 ,  *半導体薄膜 ,  *金属薄膜 ,  熱処理

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

引用文献 (41件)：

• L. D. Hicks and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 47, 12727 (1993).
• T. Koga, X. Sun, S. B. Cronin, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 73, 2950 (1998).
• T. Koga, X. Sun, S. B. Cronin, and M. S. Dresselhaus, Appl. Phys. Lett. 75, 2438 (1999).
• A. A. Balandin and O. L. Lazarenkova, Appl. Phys. Lett. 82, 415 (2003).
• D. Vashaee and A. Shakouri, Phys. Rev. Lett. 92, 106103 (2004).

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  Au ,  人工超格子 ,  薄膜 ,  熱起電力 ,  必要条件