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J-GLOBAL ID：201802271096664712   整理番号：18A1806645

電界めっきしたGa_2O_3MOSFETのパルス大信号RF性能【JST・京大機械翻訳】

Pulsed Large Signal RF Performance of Field-Plated Ga₂O₃ MOSFETs

著者 (13件)： Singh Manikant (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Casbon Michael A. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Uren Michael J. (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Pomeroy James W. (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Dalcanale Stefano (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Karboyan Serge (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.) ,  Tasker Paul J. (School of Engineering, Cardiff University, Cardiff, U.K.) ,  Wong Man Hoi (National Institute of Information and Communications Technology, Tokyo, Japan) ,  Sasaki Kohei (Tamura Corporation, Saitama, Japan) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation, Saitama, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Tamura Corporation, Saitama, Japan) ,  Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology, Tokyo, Japan) ,  Kuball Martin (Center for Device Thermography and Reliability, H. H. Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol, U.K.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 10  ページ： 1572-1575  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フィールドめっきβ-Ga_2O_3MOSFETのパルスとCWの大信号RF性能の比較を報告した。パルスが12%の電力付加効率,22.4%のドレイン効率,0.13W/mmの出力密度,および2μmゲート長デバイスに対して1GHzで最大利得4.8dBをもたらすとき,自己加熱を低減した。より高いV_DSとI_DSに対する電力散逸の増加は性能の劣化をもたらし,それは熱シミュレーションが自己加熱によって完全に説明できることを示した。バッファと表面トラッピングの寄与を,ゲートとドレイン遅延測定を用いて評価し,デバイス性能に及ぼす最小の影響を示した。これらの結果は,β-Ga_2O_3が将来のRF応用のための良い候補であることを示唆する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力付加効率 ,  利得 ,  *めっき ,  *電場 ,  *パルス
準シソーラス用語： トラッピング ,  熱シミュレーション ,  自己加熱 ,  ゲート長 ,  出力密度 ,  *大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界 ,  めっき ,  パルス ,  大信号 ,  RF