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J-GLOBAL ID：201802271303327906   整理番号：18A1641042

サブ50nm高アスペクト比金属ナノ構造の書換え可能な一段階パターン形成のための走査型ナノ溶接リソグラフィー【JST・京大機械翻訳】

Scanning Nanowelding Lithography for Rewritable One-Step Patterning of Sub-50 nm High-Aspect-Ratio Metal Nanostructures

著者 (10件)： Liu Guoqiang (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Chen Lina (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Liu Jin (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Qiu Meng (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Xie Zhuang (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong, China) ,  Chang Jian (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Zhang Yaokang (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Li Peng (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Lei Dang Yuan (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China) ,  Zheng Zijian (Laboratory for Advanced Interfacial Materials and Devices, Institute of Textiles and Clothing, The Hong Kong Polytechnic University, Hung Hom, Kowloon, Hong Kong SAR, China)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 30  号： 35  ページ： e1801772  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属の任意の高アスペクト比ナノ構造の一段階作製のための走査型ナノ溶接リソグラフィー(SNWL)と名付けた新しいナノリソグラフィー戦略の開発について報告した。材料の減算又は添加を必要とする従来のパターン転写及び添加印刷戦略とは異なり,SNWLは金属薄膜又は既存のナノ構造をナノスケールで金属の冷間溶接効果を通して望ましい高アスペクト比パターンに再成形するための鋭い走査チップを利用する。結果として,SNWLは,1段階および周囲条件で,著しいアスペクト比>5のサブ50nmの金属ナノウォールを容易に製造でき,光の強い導波路であることが分かった。より重要なことに,SNWLは,作製されたナノ構造を消去し,それらを他の形状と方向への方向に書き換える独特の能力に関して,既存の戦略を上回っている。SNWLの直列および書換え能力の利点を利用して,Morse符号のスマート情報蓄積を実証した。SNWLは,生物学的,医学的,光学的,電子的,および情報応用のために非常に望ましい任意の高アスペクト比ナノ構造アレイを構築する有望な方法である。Copyright 2018 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *パターン形成 ,  *溶接 ,  *ナノ構造 ,  金属薄膜 ,  導波路 ,  印刷 ,  冷間圧接 ,  *金属 ,  *リソグラフィー ,  *アスペクト比
準シソーラス用語： ナノウォール ,  ナノスケール ,  ナノリソグラフィー ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高アスペクト比 ,  金属 ,  ナノ加工 ,  書換え可能 ,  走査プローブリソグラフィー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (9件)： サブ ,  高アスペクト比 ,  金属ナノ構造 ,  書換え ,  段階 ,  パターン形成 ,  走査型 ,  溶接 ,  リソグラフィー