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J-GLOBAL ID：201802271348364970   整理番号：18A0972390

近接結合YIG/グラフェン/h-BNサンドイッチ構造における量子異常Hall効果への接近【JST・京大機械翻訳】

Approaching quantum anomalous Hall effect in proximity-coupled YIG/graphene/h-BN sandwich structure

著者 (9件)： Tang Chi (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Cheng Bin (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Aldosary Mohammed (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Wang Zhiyong (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Jiang Zilong (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Watanabe K. (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Taniguchi T. (Advanced Materials Laboratory, National Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, Japan) ,  Bockrath Marc (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA) ,  Shi Jing (Department of Physics and Astronomy, University of California, Riverside, California 92521, USA)
資料名： APL Materials (Web)  (APL Materials (Web))
巻： 6  号： 2  ページ： 026401-026401-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7122A  ISSN： 2166-532X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子異常Hall状態は,十分に強い交換とスピン-軌道相互作用の両方の下で,グラフェンのようなDirac電子系で出現すると期待される。元のグラフェンでは相互作用は存在しない;しかし,両方の相互作用は,異常Hall効果によって明らかにされたように,グラフェンを磁気絶縁体に結合することによって得られる。ここでは,上部ゲート誘電体としても役立つフェリ磁性絶縁体イットリウム鉄ガーネット(YIG)と六方晶窒化ホウ素(h-BN)の間にグラフェンをサンドイッチすることにより磁気近接結合を増強することを示した。トップゲート電圧を掃引することにより,Fermi準位依存の異常Hallコンダクタンスを観測した。Dirac点が電子と正孔側から近づくと,異常Hallコンダクタンスは量子異常Hallコンダクタンス2e~2/hの1/4に達した。交換結合強度は誘導磁気相の転移温度から27meVと高いと決定した。YIG/グラフェン/h-BNは二次元電子系における近接性誘起相互作用を実証するための優れたヘテロ構造である。(翻訳著者抄録)【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 相互作用 ,  絶縁体 ,  正孔 ,  コンダクタンス ,  スピン-軌道相互作用 ,  Fermi準位 ,  *グラフェン ,  *異常Hall効果 ,  磁気 ,  イットリウム鉄ガーネット ,  *サンドイッチ構造
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  二次元電子系 ,  Dirac点 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (6件)： YIG ,  グラフェン ,  h-BN ,  サンドイッチ構造 ,  量子異常Hall効果 ,  接近