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J-GLOBAL ID：201802271482315322   整理番号：18A1675310

(InAlGa)NベースUV-B LEDにおける電流誘起劣化効果の局在化【JST・京大機械翻訳】

Localization of current-induced degradation effects in (InAlGa)N-based UV-B LEDs

著者 (13件)： Ruschel J. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Glaab J. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Brendel M. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Rass J. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Stolmacker C. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Lobo-Ploch N. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Kolbe T. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Wernicke T. (Technische Universitaet Berlin, Institut fuer Festkorperphysik, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623 Berlin, Germany) ,  Mehnke F. (Technische Universitaet Berlin, Institut fuer Festkorperphysik, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623 Berlin, Germany) ,  Enslin J. (Technische Universitaet Berlin, Institut fuer Festkorperphysik, Hardenbergstr. 36, EW 6-1, 10623 Berlin, Germany) ,  Einfeldt S. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Weyers M. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany) ,  Kneissl M. (Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hochstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin, Germany)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 124  号： 8  ページ： 084504-084504-7  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 310nm付近に発光する紫外-B発光ダイオード(UV-B LED)の劣化挙動を調べ,劣化効果を局在化する方法を示した。200時間の定電流劣化研究の間のUV-B LEDの電気光学特性の測定は,駆動電圧の減少と容量の増加を伴う光パワーの初期の急速な減少を示した。さらに,特別に設計された接触形状を用いることにより,p層とp接触の電気的性質の劣化を,LEDヘテロ構造の活性領域とn側の劣化から分離することができた。著者らの研究は,静電容量と電圧の初期変化が,p側とLEDのp接触における変化に起因することを示し,それはMgドーパントの活性化によって説明できる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  活性部位 ,  電気的性質 ,  静電容量 ,  光学的性質 ,  *電流 ,  電圧 ,  *電流発生 ,  高速度
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  駆動電圧 ,  *局在化 ,  *UV-B , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： UV-B ,  LED ,  電流誘起 ,  局在化