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J-GLOBAL ID：201802271538971427   整理番号：18A1258609

28nm UTBB FD-SOI CMOS技術による新しいMOSデバイス構造の最適化その場加熱制御【JST・京大機械翻訳】

Optimized in situ heating control on a new MOS device structure in 28nm UTBB FD-SOI CMOS technology

著者 (3件)： Galy Ph. (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France) ,  Lethiecq R. (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France) ,  Bawedin M. (Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, Grenoble INP Minatec, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICICDT  ページ： 157-160  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,28nm FD-SOI UTBB高k金属ゲート技術における新しいシリコン薄膜N-MOSFETデバイス内のその場加熱制御に関する予備的結果を紹介することである。この評価は,古典的な電熱物理モデルとシリコン試料測定による3D TCADシミュレーションに基づいている。それは,装置が機能的であり,過酷な応用環境における低温および超低温設計解のために使用できることを強調する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 低温 ,  *最適化 ,  電気加熱 ,  超低温 ,  CMOS ,  シミュレーション ,  三次元 ,  ケイ素 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： TCAD ,  物理モデル ,  シリコン薄膜 ,  メタルゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  CMOS技術 ,  MOSデバイス ,  最適化 ,  加熱制御