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J-GLOBAL ID：201802271546647147   整理番号：18A0159559

多様なDC-AC実験条件下でのRMG FinFETにおけるNBTIストレスと回復の超高速測定と物理的モデリング【Powered by NICT】

Ultrafast Measurements and Physical Modeling of NBTI Stress and Recovery in RMG FinFETs Under Diverse DC-AC Experimental Conditions

著者 (6件)： Parihar Narendra (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Sharma Uma (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India) ,  Southwick Richard G. (IBM Research Division, Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Wang Miaomiao (IBM Research Division, Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Stathis James H. (IBM Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Mahapatra Souvik (Department of Electrical Engineering, IIT Bombay, Mumbai, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 23-30  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 置換金属ゲートを利用した高k金属ゲートプロセスとpFinFETにおける負バイアス温度不安定性(NBTI)に起因するしきい値電圧シフト(ΔV_T)は超高速法を用いて測定した。界面トラップ(ΔV_IT)の生成,既存(ΔV_HT)における正孔捕獲,および新たな(ΔV_OT)バルク絶縁体トラップの発生から相関寄与を含む包括的なモデリングフレームワークを用いて,測定したデータを定量化することである。モデルは広い温度範囲( 40°Cから150°Cまで)でdcストレスと回復データを説明し,異なるストレス及び回復バイアスである。種々のバイアス,温度,周波数,およびデューティサイクルのacストレスと回復データを説明することができる。ΔV_IT,ΔV_HT,ΔV_OTの時間動力学と温度活性化,および種々の実験条件下でのそれらの相対的優位性の違いを示した。dcとac応力に対するエンドオブライフ・NBTIはモデルを用いて推定し,従来の分析法からの予測と比較した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モデリング ,  バイアス ,  モデル ,  絶縁体 ,  周波数
準シソーラス用語： デューティサイクル ,  温度範囲 ,  正孔捕獲 ,  界面トラップ ,  閾値電圧シフト ,  メタルゲート ,  *超高速 ,  *NBTI ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： DC ,  Ac ,  実験条件 ,  FinFET ,  NBTI ,  ストレス ,  回復 ,  物理 ,  モデリング