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J-GLOBAL ID：201802271643490257   整理番号：18A1144259

InGaAs-on-InP MOSFETにおける歪誘起電子移動度増加の背後の物理的機構【JST・京大機械翻訳】

The Physical Mechanisms Behind the Strain-Induced Electron Mobility Increase in InGaAs-On-InP MOSFETs

著者 (3件)： Krivec Sabina (Department of Electronics, Microelectronics, Computer, and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Zagreb, Croatia) ,  Poljak Mirko (Department of Electronics, Microelectronics, Computer, and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Zagreb, Croatia) ,  Suligoj Tomislav (Department of Electronics, Microelectronics, Computer, and Intelligent Systems, Micro and Nano Electronics Laboratory, Faculty of Electrical Engineering and Computing, University of Zagreb, Zagreb, Croatia)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 7  ページ： 2784-2789  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだ超薄InGaAs-on-InP MOSFETにおける電子移動度を,すべての関連する散乱機構と効果を含むバンド構造と物理ベースのモデリングを組み合わせて調べた。最も重要な効果は,InGaAs/酸化物界面における界面状態の高密度に起因して起こるFermi準位ピン止めである。二軸歪超薄InGaAs-on-InP構造における電子移動度に及ぼす界面状態の影響を調べるために,異なる界面状態密度を考慮した。電子輸送に及ぼす界面状態電荷の好ましくない影響を緩和できる引張二軸歪値を報告した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  酸化物 ,  電荷 ,  バンド構造 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  引張 ,  ピン止め ,  *リン化インジウム ,  Fermi準位 ,  表面準位 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： 電子輸送 ,  二軸ひずみ ,  物理モデル ,  *電子移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaAs ,  InP ,  MOSFET ,  誘起 ,  電子移動度 ,  物理