文献

J-GLOBAL ID：201802271699500060   整理番号：18A0360335

断熱型量子磁束パラメトロンを用いた低エネルギー強磁性マトリクスメモリの検討

Investigation on Low-Energy Ferromagnetic Matrix Memory Using Adiabatic Quantum Flux Parametrons

著者 (6件)： 岩下颯斗 (名古屋大 大学院) ,  谷口壮耶 (名古屋大 大学院) ,  加藤悠輝 (名古屋大 大学院) ,  佐野京佑 (名古屋大 大学院) ,  田中雅光 (名古屋大 大学院) ,  藤巻朗 (名古屋大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 428(SCE2017 31-41)  ページ： 57-62  発行年： 2018年01月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高エネルギー効率な計算機の実現に向け,強磁性体パターンを記憶素子とする,マトリックスメモリの検討を行った。ビット線とワード線の交点において強磁性体パターンを磁化させ,その向きが1bitのバイナリ情報に対応する。読み出しは,断熱型量子磁束パラメトロンを用いた3入力ANDゲートによって行うことで,超低エネルギー動作が期待される。等価回路で残留磁化を模擬した数値計算により,提案したメモリセルの動作を確認した。現在,マトリックスメモリを構成した際の読み出し動作を検証するため,Pd_0.89Ni_0.11強磁性体パターンを堆積させた読み出し専用メモリセルの試作を行い,その実験的評価を進めている。(著者抄録)

シソーラス用語： 断熱 ,  *共振回路 ,  強磁性 ,  *記憶素子 ,  二値論理 ,  *残留磁化 ,  エネルギー
準シソーラス用語： *パラメトロン ,  メモリセル ,  低エネルギー

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

引用文献 (19件)：

• G. E. Moore. Cramming more components onto integrated circuits. Electronics, Vol. 38, No. 8, 1965.
• K. K. Likharev and V. K. Semenov. RSFQ logic/memory family: a new Josephson-junction technology for sub-terahertz-clock-frequency digital systems. IEEE Trans. Appl. Supercond., Vol. 1, No. 1, pp. 3-28, 1991.
• N. Yoshikawa and Y. Kate. Reduction of power consumption of RSFQ circuits by inductance-load biasing. Supercond. Sci. Technol., Vol. 12, No. 11, p. 918-920, 1999.
• M. Tanaka, M. Ito, A. Kitayama, T. Kouketsu, and A. Fujimaki. 18-GHz, 4.0 aJ/bit operation of ultra-low-energy rapid single-flux-quantum shift registers. Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5R, p. 053102, 2012.
• D. E. Kirichenko, S. Sarwana, and A. F. Kirichenko. Zero static power dissipation biasing of RSFQ circuits. IEEE Trans. Appl. Supercond., Vol. 21, No. 3, pp. 776-779, 2011.

タイトルに関連する用語 (7件)： 断熱 ,  量子 ,  磁束 ,  パラメトロン ,  低エネルギー ,  強磁性 ,  マトリクス