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J-GLOBAL ID：201802271717244810   整理番号：18A0446669

交差点25nm抵抗変化型不揮発性メモリ用セレクター技術のブレークスルー【Powered by NICT】

Breakthrough of selector technology for cross-point 25-nm ReRAM

著者 (17件)： Kim Soo Gil (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Lee Jong Chul (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Ha Tae Jung (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Lee Jong Ho (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Lee Jae Yeon (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Park Yong Taek (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Kim Kyung Wan (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Ju Won Ki (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Ko Young Seok (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Hwang Hyun Mi (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Lee Bo Mi (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Moon Joo Young (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Park Woo Young (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Gyun Byung Gu (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Lee Byoung-Ki (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Yim Donggyu (SK Hynix Inc., Icheon, Korea) ,  Hong Sung-Joo (SK Hynix Inc., Icheon, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IEDM  ページ： 2.1.1-2.1.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,革新的な酸化物セレクタから優れた選択性能を初めて報告した。,半導体産業における従来型および一般的な材料の一つ,SiO2はマトリックス酸化物材料として選択した。固定床および取り扱いの容易な金属原子が酸化物膜に注入した。オフ電流としきい値電圧(V_th)はヒ素(As)を用いて制御することができ,それはドーピング法と濃度を注意深くしきい値スイッチング挙動を達成するために調べた。最後に1セレクタ1抵抗器(が良い1S1R)から成るReRAM(抵抗スイッチングランダムアクセスメモリ)セルアレイを新たに開発したセレクタの完全な統合を実証することに成功した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  酸化膜 ,  *選別器 ,  RAM【メモリ】 ,  *不揮発性メモリ ,  半導体工業 ,  ドーピング ,  二酸化ケイ素 ,  酸化物
準シソーラス用語： セルアレイ ,  抵抗スイッチング ,  ReRAM ,  閾値電圧 ,  オフ電流 ,  *抵抗変化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 重金属とその化合物一般  (SB05021R) ,  下水,廃水の物理的処理  (SC03040L) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 交差点 ,  抵抗変化 ,  不揮発性メモリ ,  セレクター ,  ブレークスルー