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J-GLOBAL ID：201802271719898192   整理番号：18A1903799

Si〈100〉デバイスにおける室温での局所磁気抵抗【JST・京大機械翻訳】

Local Magnetoresistance at Room Temperature in Si <100> Devices

著者 (5件)： Ishikawa Mizue (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan) ,  Tsukahara Makoto (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan) ,  Yamada Michihiro (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan) ,  Saito Yoshiaki (Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan) ,  Hamaya Kohei (Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University, Suita, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 54  号： 11  ページ： ROMBUNNO.1400604.1-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)ベース横方向スピンバルブ(LSV)デバイスにおける二端子局所磁気抵抗(MR)に対する結晶配向効果が存在することを示した。Si<100>とSi<110>LSV素子の間の局所MR効果を比較すると,Si<100>LSV素子の局所MR信号の大きさはSi<110>LSV素子のそれより常に大きい。Si<100>LSV素子に対して,室温MR比の大きさは約0.06%に達した。作製したLSV素子において,Si結晶方位に対する強磁性接触の磁化方向に起因するトンネリング異方性スピン分極を考慮することが重要であると推論した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スピン分極 ,  磁気抵抗効果 ,  強磁性 ,  結晶方位 ,  トンネル効果 ,  異方性 ,  *磁気抵抗
準シソーラス用語： 磁化方位 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  金属結晶の磁性  (BM06040T)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  室温 ,  磁気抵抗