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J-GLOBAL ID：201802271781847790   整理番号：18A0854473

軌道縮退したドープMott絶縁体における荷電欠陥近傍の正孔の局在化【JST・京大機械翻訳】

Localization of holes near charged defects in orbitally degenerate, doped Mott insulators

著者 (6件)： Avella Adolfo (Dipartimento di Fisica “E.R. Caianiello”, Universita degli Studi di Salerno, I-84084 Fisciano (SA), Italy) ,  Avella Adolfo (CNR-SPIN, UoS di Salerno, I-84084 Fisciano (SA), Italy) ,  Avella Adolfo (Unita CNISM di Salerno, Universita degli Studi di Salerno, I-84084 Fisciano (SA) Italy) ,  Oles Andrzej M. (Marian Smoluchowski Institute of Physics, Jagiellonian University, Prof. S. Lojasiewicza 11, PL-30348 Krakow, Poland) ,  Oles Andrzej M. (Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Horsch Peter (Max-Planck-Institut fuer Festkorperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany)
資料名： Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)
巻： 536  ページ： 738-741  発行年： 2018年 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バナジウムペロブスカイトR1-xCaxVO3(R=La,...,Y)中のt2g電子に対する多重バンド模型における荷電欠陥,無秩序及び電子-電子(e-e)相互作用の役割を研究した。非制限Hartree-Fock計算により,原子多重項構造が50%Caドーピングまで持続することを見出した。逆関与数を用いて,すべての電子状態に対する局在化の程度とそのドーピング依存性を調べた。強く局在した波動関数の観測は,ドープされた正孔が荷電したCa2+欠陥に強く結合するスピン軌道ポーラロンを形成するという予想と一致する。興味あることに,長距離e-e相互作用は化学ポテンシャルを横切る波動関数サイズの不連続性をもたらし,そこでは電子除去状態は付加状態よりも局所化される。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 多重項 ,  化学ポテンシャル ,  相互作用 ,  不連続性 ,  *正孔 ,  多重化 ,  ポーラロン ,  波動関数 ,  *ドーピング ,  電子状態
準シソーラス用語： 長距離 ,  *局在化 ,  *荷電欠陥 ,  *Mott-Hubbard絶縁体 ,  *軌道縮退 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Mott絶縁体 ,  軌道縮退 ,  スピン-軌道秩序 ,  電荷欠陥 ,  ホール位置決め ,  逆参加数

分類 (4件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 軌道縮退 ,  ドープ ,  Mott絶縁体 ,  荷電欠陥 ,  近傍 ,  正孔 ,  局在化