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J-GLOBAL ID：201802271887506994   整理番号：18A0401371

5nm DGMOSFETのサブしきい値特性を改善するための最適トップ及び底部酸化物厚さとフラットバンド電圧【Powered by NICT】

Optimum top and bottom oxide thicknesses and flat-band voltages for improving subthreshold characteristics of 5 nm DGMOSFET

著者 (2件)： Jung Hakkee (Department of Electronic Eng., Kunsan National University, Kunsan 54150, Republic of Korea) ,  Dimitrijev Sima (Queensland Micro- and Nanotechnology Centre and Griffith School of Engineering, Griffith University, QLD 4111, Australia)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 101  ページ： 285-292  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トップ/ボトムゲートフラットバンド電圧と酸化膜厚さに対して5nm DG(二重ゲート)MOSFETのサブしきい値特性を調査し最適設計ルールを提案した。オン電流(10 7 A)とオフ電流(10 12 A)間のトップゲート電圧の差はΔVo n-O f fとして特定し,オン電流のためのトップゲート電圧がしきい値電圧として定義される。ΔVo n-O f fとしきい値電圧は種々のトップ/ボトムゲートフラットバンド電圧と酸化膜厚のためのドレイン電流とゲート電圧の方程式から導出した,同じトップ/ボトムゲートフラットバンド電圧と酸化膜厚を持つ対称構造のものと比較した。その結果,トップ/ボトムゲートフラットバンド電圧,酸化物の厚さの電位分布をトンネル電流直接,サブしきい値領域におけるΔVo n-O f fとしきい値電圧を大きく変化に影響する。トップフラットバンド電圧と酸化膜厚は,ΔVo n-O f fとしきい値電圧を低減し,対称構造のものと比較して底部フラットバンド電圧と酸化物の厚さよりも大きくなければならないことを確認した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  酸化膜 ,  *酸化 ,  *酸化物 ,  膜厚 ,  *MOSFET ,  電位分布
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  ドレイン電流 ,  閾値電圧 ,  ゲート電圧 ,  二重ゲート ,  ボトムゲート ,  *フラットバンド電圧 ,  *サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： サブしきい値 ,  しきい値電圧 ,  DGMOSFET ,  トンネル電流 ,  ΔV

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (4件)： サブしきい値 ,  トップ ,  酸化物 ,  フラットバンド電圧