文献

J-GLOBAL ID：201802272016170207   整理番号：18A1724741

トレンチ接合絶縁増幅ゲートを持つ4H-SiC二重層薄Nベース光トリガサイリスタ【JST・京大機械翻訳】

4H-SiC double-layer thin n-base light triggered thyristor with a trenched-junction isolated amplifying gate

著者 (4件)： Wang Xi (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China) ,  Pu Hongbin (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China) ,  Liu Qing (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China) ,  An Liqi (Department of Electronic Engineering, Xi’an University of Technology, Xi’an 710048, Shannxi, China)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 122  ページ： 1-8  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,トレンチ接合分離増幅ゲートを有する新しい4H-SiC二重層薄nベースLTTを提案し,従来のSiC増幅ゲート構造の欠点を補償するために研究した。二重層薄nベース構造を用いることにより,パイロットLTTのターンオン性能を改善した。シミュレーションによると,500mW/cm2の紫外線によりトリガされたとき,トレンチ接合分離増幅ゲートは良好に動作し,提案したデバイスのターンオン遅延は451nsに過ぎなかった。一方,破壊電圧は10kVより高いままである。従来の抵抗分離増幅ゲートとトレンチ分離増幅ゲートと比較して,提案したトレンチ接合分離ゲート構造は,面積利用とブロッキング特性の両方においてより良い性能を示した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *サイリスタ ,  ブロッキング ,  ターンオン ,  紫外線 ,  *接合
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  *二重層 ,  4H-SiC ,  *トレンチ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SiC ,  光トリガサイリスタ ,  二重層 ,  トレンチ接合 ,  増幅ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： トレンチ ,  絶縁 ,  増幅 ,  ゲート ,  4H-SiC ,  二重層 ,  トリガ ,  サイリスタ