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J-GLOBAL ID：201802272111077594   整理番号：18A0845121

埋込みメモリ応用のための自己整流および形成フリー抵抗スイッチング素子【JST・京大機械翻訳】

Self-Rectifying and Forming-Free Resistive-Switching Device for Embedded Memory Application

著者 (12件)： Luo Qing (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Zhang Xumeng (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Hu Yuan (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Gong Tiancheng (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Xu Xiaoxin (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Yuan Peng (Jiangsu National Synergetic Innovation Center for Advanced Materials, Nanjing, China) ,  Ma Haili (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Dong Danian (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Lv Hangbing (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Long Shibing (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 39  号： 5  ページ： 664-667  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己整流抵抗スイッチング(RS)デバイスは,3D垂直クロスバーアレイにおけるスナキング電流問題を克服するための最も有望な解決策の一つである。本稿では,埋め込みメモリ応用のために,高い均一性と低い動作電圧(<3V)を持つCMOS互換性,形成フリー,自己整流抵抗ランダムアクセスメモリデバイスを報告した。低い読取電圧により,この素子はロバストな読取擾乱(>10~9)特性を示した。PdとWO_x層の間に3nmのHfO_2薄膜を導入した後に,Pd/HfO_2のSchottky接触が形成され,整流特性をもたらした。HfO_2層は,WO_x層におけるRSのための酸素貯留層としても役立った。優れた性能を有するこの新しいメモリ素子は,将来の高密度埋込みメモリ応用のための有望な候補である。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶素子 ,  ロバスト性 ,  電流 ,  *スイッチング素子 ,  パラジウム ,  薄膜 ,  酸素 ,  電圧 ,  *整流 ,  互換性 ,  三次元
準シソーラス用語： 二層 ,  ReRAM ,  *抵抗スイッチング ,  *埋込みメモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 埋込みメモリ ,  応用 ,  自己 ,  整流 ,  スイッチング素子