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J-GLOBAL ID:201802272156346629   整理番号:18A0519872

多量にドープした半導体基板上のパルスマイクロ波センサ【Powered by NICT】

Pulsed microwave sensor on heavily doped semiconductor substrate
著者 (9件):
資料名:
巻: 2017  号: PIERS - FALL  ページ: 1037-1042  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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比較的構造が簡単で費用対効果に優れた平面非対称マイクロ波ダイオードの設計を提案した。シンプレックス半導体材料の単純化した技術プロセスと利用は,マイクロ波ダイオードの作製の時間とコストの削減をもたらす。二種類のマイクロ波ダイオードのを同一操作中に生成した:一つはオーミック特性を示し,もう一つはSchottky接合様特性を示した。Schottkyダイオードは,より高い感度およびより高い動作速度を示したが,オームはマイクロ波パワー測定に適した広いダイナミックレンジを持っていた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
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撮像・録画装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
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