文献

J-GLOBAL ID：201802272198986958   整理番号：18A0433236

Si単結晶基板によるMg膜の反応を経由するMg_2Si形成速度論のその場高温X線回折分析【Powered by NICT】

In situ high-temperature X-ray diffraction analysis of Mg₂Si formation kinetics via reaction of Mg films with Si single crystal substrates

著者 (3件)： Gordin Ari S. (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Sandhage Kenneth H. (School of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA 30332, USA) ,  Sandhage Kenneth H. (School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47905, USA)
資料名： Intermetallics  (Intermetallics)
巻： 94  ページ： 200-209  発行年： 2018年 
JST資料番号： W0672A  ISSN： 0966-9795  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共形コンパクトMg_2Si膜は中程度の温度(≧280 °C)でのそのような基板によるMg膜の直接反応によりSi基板(電池,光起電,熱電,または他の応用のための)に形成することができる。本研究では,in situ高温X線回折(HTXRD)分析は,流動He雰囲気中で280 400°でMg_2Si CへのSi単結晶(ウエハ)基板上にMg膜の反応性変換を追跡するために使用した。加熱中のマグネシウム膜の蒸発または酸化に関連した前報告された合併症は1μm厚のマグネシウム膜上に薄い(15 nm)チタンキャップ層を適用することにより回避した。<100>Siと<111>配向したSi単結晶Mg膜の反応は時間と共に放物線速度で進行した。同様の値はSi基板方位の両方でMg反応のための放物線速度定数及び活性化エネルギーを得た。これらの観察は,律速段階として肥厚Mg_2Si積による固相拡散と一致した。Mg_2Si形成に対して得られた活性化エネルギー値は,Si基板との固相拡散律速反応により生成した他のM_2Si型けい化物の活性化エネルギーと融点の間の以前に報告された相関と一致した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 拡散律速反応 ,  *X線回折 ,  固相 ,  ヘリウム ,  *マグネシウム ,  ケイ化物 ,  反応性 ,  *高温 ,  活性化エネルギー ,  *X線回折分析 ,  固体内拡散 ,  律速 ,  融点
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Aけい化物薄膜 ,  B核形成と成長拡散 ,  C反応合成 ,  F.X線回折

分類 (4件)： 金属中の拡散  (BL06022C) ,  腐食  (WB03030B) ,  拡散浸透めっき  (WC08025J) ,  金属系複合材料一般  (WE04010V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si単結晶基板 ,  Mg ,  速度論 ,  X線回折分析