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J-GLOBAL ID：201802272307651299   整理番号：18A1932681

Siドープβ-Ga_2O_3のハロゲン化物気相エピタクシーとその電気的性質【JST・京大機械翻訳】

Halide vapor phase epitaxy of Si doped β-Ga₂O₃ and its electrical properties

著者 (15件)： Goto Ken (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Goto Ken (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Goto Ken (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Konishi Keita (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Murakami Hisashi (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Murakami Hisashi (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kumagai Yoshinao (Department of Applied Chemistry, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Kumagai Yoshinao (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Monemar Bo (Institute of Global Innovation Research, Tokyo University of Agriculture and Technology, 2-24-16Naka-cho, Koganei, Tokyo 184-8588, Japan) ,  Monemar Bo (Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linkoping University, Linkoping SE-581 83, Sweden) ,  Higashiwaki Masataka (National Institute of Information and Communications Technology, 4-2-1Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, Japan) ,  Kuramata Akito (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Kuramata Akito (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Novel Crystal Technology, Inc., 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan) ,  Yamakoshi Shigenobu (Tamura Corporation, 2-3-1 Hirosedai, Sayama, Saitama 350-1328, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 666  ページ： 182-184  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前駆体として塩化ガリウム,酸素および四塩化ケイ素ガスを用いたハロゲン化物気相エピタクシーにより,β-酸化ガリウム(001)基板上にシリコンドープホモエピタキシャル膜を成長させた。室温でのn型キャリア密度はドープしたシリコン濃度にほぼ等しく,10~15~10~18cm-3の範囲で制御されることを確認した。キャリア密度が1×10~16cm~3のドープ膜では,室温での活性化エネルギーと移動度は,それぞれ,4meVと145cm~2/Vであった。低キャリア密度膜におけるキャリア散乱機構は,33meVのフォノンエネルギーをもつ光学フォノン散乱によって支配された。これらの結果は,ハロゲン化物気相エピタクシーによって成長させたドープしたホモエピタキシャル膜が,バルク結晶に匹敵する良好な結晶性を有する高品質の膜であることを示唆している。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： HOMO ,  酸化ガリウム ,  キャリア密度 ,  結晶度 ,  移動度 ,  フォノン ,  *気相成長 ,  前駆体 ,  キャリア散乱 ,  酸素 ,  活性化エネルギー ,  基板 ,  散乱 ,  *ドーピング ,  エピタキシャル膜

著者キーワード (2件)： ハロゲン化物気相エピタクシー ,  電子特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  ドープ ,  ハロゲン化物 ,  気相エピタクシー ,  電気的性質