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J-GLOBAL ID：201802272636310730   整理番号：18A0159575

溶液法で作製したa InMgZnO薄膜トランジスタのデバイス性能に及ぼすN_2Oプラズマ処理の影響【Powered by NICT】

The Effects of N₂O Plasma Treatment on the Device Performance of Solution-Processed a-InMgZnO Thin-Film Transistors

著者 (7件)： Cheng Jin (Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Yu Zhinong (Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Li Xuyang (Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Guo Jian (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Beijing, China) ,  Yan Wei (Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China) ,  Xue Jianshe (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd., Beijing, China) ,  Xue Wei (Beijing Engineering Research Center of Mixed Reality and Advanced Display, School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 1  ページ： 136-141  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InMgZnO(IMZO)薄膜トランジスタ(TFT)の性能に及ぼす種々の温度でN_2Oプラズマ処理(PT)の影響を調べた。結果として,100°Cで10分間N_2Oプラズマ処理(10 W)IMZOチャネル層を持つTFTは,未処理IMZOと比較して線形電界効果移動度を五倍高いことを示した。N_2O PTは結晶構造,IMZO薄膜の表面粗さに有意な変化を引き起こさなかった。しかし,X線光電子分光法研究は,チャネル層の酸素空格子点欠陥密度は温度上昇に伴うN_2O PTを介して減少することを確認し,酸素空孔の減少はオフ電流(I_OFF)の減少をもたらした。チャネル層の屈折率はPT温度上昇と共に増加し,膜密度の改善は,オン電流(I_ON)より高い,高移動度と高I_ON/I_OFF比をもたらすことが分かった。著者らの研究は,軽度N_2O PT温度は素子性能を改善するために採用できることを示唆した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  結晶構造 ,  電流 ,  線形性 ,  *薄膜トランジスタ ,  欠陥密度 ,  *薄膜 ,  昇温 ,  *プラズマ処理 ,  屈折率
準シソーラス用語： 高移動度 ,  オフ電流 ,  酸素空格子点 ,  電界効果移動度 ,  チャネル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液 ,  作製 ,  薄膜トランジスタ ,  プラズマ処理