文献

J-GLOBAL ID：201802272857210911   整理番号：18A2005337

反強磁性秩序の存在下におけるMott転移近傍のドーピング誘起状態【JST・京大機械翻訳】

Doping-induced states near the Mott transition in the presence of antiferromagnetic order

著者 (1件)： Kohno Masanori (National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0003, Japan)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 8  号： 10  ページ： 101302-101302-5  発行年： 2018年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mott転移の中心的な問題は,Mott転移における電子状態の変化である。ここでは,ランダム位相近似を用いて平均場状態の周りのスピンゆらぎを考慮することにより,Fermi運動によりシフトしたスピン波分散関係を示す電子状態が反強磁性秩序Mott絶縁体をドーピングするMottギャップに現れることを示した。この特性は,ドーピングがギャップ中の電子状態を誘起しない平均場近似のそれと対照的である。結果は,この特性が反強磁性秩序の存在下でさえMott転移に対して一般的で基本的であることを意味する。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 分散関係 ,  *ドーピング ,  平均場近似 ,  ランダム位相近似 ,  *Mott転移 ,  スピンゆらぎ ,  スピン波 ,  電子状態 ,  Mott-Hubbard絶縁体 ,  *反強磁性秩序

分類 (1件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反強磁性秩序 ,  Mott転移 ,  近傍 ,  ドーピング ,  誘起