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J-GLOBAL ID：201802273272573216   整理番号：18A0203688

側壁ピエゾ抵抗と接触MEMS位置センサのSelectiveSensitivity【Powered by NICT】

SelectiveSensitivity of contact MEMS position sensors with sidewall piezoresistors

著者 (6件)： Stavrov V. (AMG Technology Ltd., 2140 Botevgrad, Bulgaria) ,  Stavreva G. (AMG Technology Ltd., 2140 Botevgrad, Bulgaria) ,  Tomerov E. (AMG Technology Ltd., 2140 Botevgrad, Bulgaria) ,  Shulev A. (Institute of Mechanics, Bulgarian Academy of Scienses, 1113 Sofia, Bulgaria) ,  Chakarov D. (Institute of Mechanics, Bulgarian Academy of Scienses, 1113 Sofia, Bulgaria) ,  Tsenkov Y. (Electroninvest Ltd., 1000 Sofia, Bulgaria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SIITME  ページ： 33-37  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 側壁圧電抵抗器をもつ二接触MEMS位置センサの特性化におけるいくつかの結果を提示した。約50pmの面内移動範囲を持つデバイスは二Π形たわみと同じ対称変換器から構成される。初めて,同じたわみにおける同じ側壁ピエゾ抵抗の異なる配置の手段だけで,XまたはY方向に選択的に敏感な位置センサのプロトタイプを製作して試験した。第一型センサのYとX方向の変位感度の実験的に測定した比は16.5であり,第二のタイプのXとY方向における感度の同じ比は27.6であった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロトタイプ ,  対称性 ,  *位置センサ ,  変換器 ,  キャラクタリゼーション ,  たわみ ,  *センサ ,  *MEMS
準シソーラス用語： *圧電抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  (AD05020O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 側壁 ,  ピエゾ抵抗 ,  MEMS ,  位置センサ