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J-GLOBAL ID：201802273304212035   整理番号：18A0826810

新規メモリ材料不使用不揮発メモリ機能搭載新コアトランジスタ

A new core transistor equipped with NVM functionality without using any emerging memory materials

著者 (10件)： TANIGUCHI Y. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  YOSHIDA S. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  OWADA F. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  SHINAGAWA Y. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  KASAI H. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  LIN-JIA-YOU (Powerchip Technol. Corp, Hsinchu Sci. Park, TWN) ,  WEI-I-HSUAN (Powerchip Technol. Corp, Hsinchu Sci. Park, TWN) ,  OKADA D. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  NAGASAWA K. (Floadia Corp, Tokyo, JPN) ,  OKUYAMA K. (Floadia Corp, Tokyo, JPN)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 10(ICD2018 1-13)  ページ： 23-27  発行年： 2018年04月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  CMOS ,  素子構造 ,  窒化ケイ素
準シソーラス用語： SONOS

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (7件)：

• C. T. Swift, et al., “An Embedded 90nm SONOS Nonvolatile Memory Utilizing Hot Electron Programing and Uniform Tunnel Erase,” IEDM, Dec.2002, pp. 927-930.
• K. Ramkumar, et al., “A Scalable Low Voltage Low Cost SONOS Memory Technology for Embedded NVM Applications,” International Memory Workshop (IMW), 2013, pp199-202.
• Wei.Ming.Chen, et al., “A Novel Flash Memory Device with Split Gate Source Side Injection and ONO Charge Storage Stack (SPIN),” Symposium on VLSI Technology, 1997, p. 67.
• Michael Fliesler, David Still, and Jeong-Mo Hwang, “A 15ns 4Mb NVSRAM in 0.13u SONOS Technology,” Joint Non-volatile Semiconductor Memory workshop and International Conference on Memory Technology and Design, Oct.2008, pp83-86.
• Luo.L, et al, “Functionality Demonstration of a High-Density 1.1v Self-Aligned Split-Gate NVM Cell Embedded into LP40nm CMOS for Automotive and Smart Card Applications,” International Memory Workshop (IMW), May.2015, pp 165-168.

タイトルに関連する用語 (4件)： メモリ材料 ,  不揮発メモリ ,  コア ,  トランジスタ