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J-GLOBAL ID：201802273466496817   整理番号：18A1567843

バンドオフセットエンジニアリング後の超薄原子層膜の固有量子井戸形成に基づく共鳴トンネリングMIIISダイオード【JST・京大機械翻訳】

Resonant tunneling MIIIS diode based on intrinsic quantum-well formation of ultra-thin atomic layered films after band-offset engineering

著者 (5件)： Molina-Reyes Joel (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico) ,  Uribe-Vargas Hector (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico) ,  Ortega Eduardo (Department of Physics and Astronomy, University of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA) ,  Ponce Arturo (National Institute for Astrophysics, Optics and Electronics (INAOE), Santa Maria Tonantzintla, Puebla, Puebla 72000, Mexico) ,  Ponce Arturo (Department of Physics and Astronomy, University of Texas at San Antonio, One UTSA Circle, San Antonio, TX 78249, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 458  ページ： 166-171  発行年： 2018年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負の微分抵抗(NDR)は,バンドオフセットエンジニアリングの後,金属絶縁体半導体(MIIIS)ダイオードのために室温で得られる。ポストメタライゼーションアニーリング(PMA)後,この特性は元素の内部拡散により失われる。MIIISダイオード(調製されたままとPMA)を原子層堆積超薄膜(2nm/1nm/2nm)高k酸化物(Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3)のゲートスタックを用いて作製し,それらのI-V,C-VおよびI-V-T特性を研究した。1.3eVの量子井戸が調製された試料の中間酸化物で得られ,エネルギー準位の量子化を促進し,共鳴トンネリング(RT)の効果により0.1,0.28及び0.5Vで3つのNDRゾーンをもたらした。これらのゾーンはPMAダイオードには存在しない。RTはHfO_2酸化物の伝導帯における離散エネルギー準位により低電圧で支配的であることが分かった。RT後,両ダイオードの主な伝導機構はPoole-Frenkelである。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  伝導バンド ,  酸化物 ,  量子化 ,  半導体 ,  *共鳴トンネル効果 ,  *ダイオード ,  *量子井戸 ,  絶縁体 ,  超薄膜 ,  *バンドオフセット
準シソーラス用語： 低電圧 ,  ゲートスタック ,  微分抵抗 ,  *原子層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子層 ,  固有 ,  量子井戸 ,  共鳴トンネリング ,  ダイオード