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J-GLOBAL ID：201802273738414381   整理番号：18A1253082

非晶質Ta-Ge-OおよびTa-Si-O薄膜の誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Dielectric properties of amorphous Ta-Ge-O and Ta-Si-O thin films

著者 (2件)： Naoi T. A. (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA) ,  van Dover R. B. (Department of Materials Science and Engineering, Cornell University, Ithaca, New York 14853, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 123  号： 24  ページ： 244103-244103-6  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの相補的非晶質酸化物系,Ta-Ge-O及びTa-Si-Oの構造及び誘電特性を調べた。これらの2つの化学的に類似した非晶質系は本質的に異なる組成-特性傾向を示すことを見出した。特に,Ta-Ge-Oの誘電定数は以前に報告されたようにTa_2O_5リッチ膜において強く増強されたが,いずれのTa-Si-O組成に対してもわずかな増強しか観測されず,屈折率はいずれの系においてもかなりの増強を示さなかった。膜の密度を直接推定することにより混合酸化物の有効分極率を決定し,原子分極が添加物であるという仮定を避けた。結果は,Ta-Ge-O系におけるTa_2O_5リッチ組成が混合則を用いて期待される値よりも強く増強されるイオン分極率を示し,GeO_2の少量の取り込みが酸化物の振動構造に実質的影響を及ぼすことを示唆した。本研究では,Clausius-Mossotti関係の限界を調べ,表式原子分極率を用いて誘電定数を計算し,実験的に推定した分子体積が両系の誘電率を系統的に過小評価することを示した。密度と誘電特性を直接測定するだけで,決定的に解釈できる傾向を説明できる。Copyright 2018 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 酸化物 ,  混合則 ,  屈折率 ,  *非晶質 ,  誘電率 ,  分極 ,  分極率 ,  *誘電性 ,  *薄膜 ,  モル体積
準シソーラス用語： 直接測定 ,  過小評価 ,  振動構造 ,  イオン分極 ,  混合酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質 ,  Ta ,  Ge ,  Si ,  薄膜 ,  誘電特性