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J-GLOBAL ID：201802273829470577   整理番号：18A0705899

メモリスタデバイスに基づくシナプスメタ可塑性の完全模倣【JST・京大機械翻訳】

Full imitation of synaptic metaplasticity based on memristor devices

著者 (10件)： Wu Quantan (Key Laboratory of Microelectronic Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100029, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Wang Hong ,  Luo Qing ,  Banerjee Writam ,  Cao Jingchen ,  Zhang Xumeng ,  Wu Facai ,  Liu Qi ,  Li Ling ,  Liu Ming
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 10  号： 13  ページ： 5875-5881  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 神経形態工学は,低電力動作と人間の脳に対する大量の並列性類似性のために,新しい計算システムを開発するための有望な技術である。神経回路網の最適機能は,可塑性に対する閾値を調整するHebian可塑性とホメオスタシス機構の急速な形の間の相互作用を必要とする。化生はシナプスにおいて重要な意味を有し,神経形態学的デバイスにおいてほとんど扱われていない。化生の理解はシナプスの修飾がどのように調節されているか,また脳におけるシナプスによって情報がどのように保存されるかについての新しい洞察をもたらす可能性がある。ここでは,メムリスタに基づいて初めて長期増強(MILTP)の化生抑制を模倣する方法を提案した。加えて,長期増強(MFLTP)の化生促進と長期抑制(MFLTD)の化生促進も達成される。さらに,メムリスタにおける化生の機構を考察した。さらに,メタ可塑性を模倣するために提案した方法を,酸化物ベースの抵抗メモリ(OxRAM),界面スイッチングランダムアクセスメモリ,および導電性ブリッジランダムアクセスメモリ(CBRAM)を含む3つの異なるメムリスタデバイスによって検証した。これは,メムリスタを用いて完全に生物学的に現実的な人工シナプスを開発するためのさらなるステップである。本研究における知見は,生物学的に現実的な神経形態工学への新しい洞察を提供するだけでなく,化生の理解を深めるであろう。Copyright 2018 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  計算機システム ,  長期増強 ,  酸化物 ,  神経回路網 ,  相互作用 ,  類似性 ,  ホメオスタシス ,  高速度 ,  *シナプス ,  *塑性 ,  導電性
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  神経 ,  *メタ可塑性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： シナプス ,  メタ可塑性 ,  模倣