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J-GLOBAL ID：201802273962780758   整理番号：18A1617008

新しいAlGaN/Ga14N15N超格子MOSFETの静的特性の解析的革新【JST・京大機械翻訳】

Analytical innovation of static characteristics for novel AlGaN/Ga¹⁴N¹⁵N superlattice MOSFET

著者 (3件)： Mazumdar Kaushik (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad 826004, India) ,  Shankar Ravi (Department of Electronics Engineering, Indian Institute of Technology (ISM), Dhanbad 826004, India) ,  Ghosal Aniruddha (Institute of Radio Physics and Electronics, University of Calcutta, 92 APC Road, Kolkata 700009, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 120  ページ： 824-827  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,井戸領域における14Nと15N同位体を考慮することにより,AlGaN/Ga14N15N超格子ベースMOSFETの重要な輸送特性について研究した。そして,AlGaN/Ga14N15N超格子における有効散乱機構を考慮し,その結果,キャリア移動度と電流を見出すためにそれぞれの緩和時間を得た。続いて,この超格子MOSFETのドレイン電流対ドレイン電圧特性を見出した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  同位体 ,  *静特性 ,  *MOSFET ,  電流 ,  緩和時間 ,  散乱 ,  *超格子
準シソーラス用語： ドレイン電圧 ,  ドレイン電流 ,  散乱メカニズム ,  輸送特性 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 散乱 ,  モビリティ ,  同位体 ,  超格子

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  超格子 ,  MOSFET ,  静的特性 ,  解析