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J-GLOBAL ID：201802274015248866   整理番号：18A0005418

中赤外発光受光素子用III-V(Sb)系材料の結晶成長と評価

Crystal Growth and Evaluation of III-V(Sb) Materials for Mid Infrared Emitter and Detector

著者 (8件)： 荒井昌和 (宮崎大 工) ,  高橋翔 (宮崎大 工) ,  井上裕貴 (宮崎大 工) ,  藤原由生 (宮崎大 工) ,  吉元圭太 (宮崎大 工) ,  山形勇也 (宮崎大 工) ,  西岡賢祐 (宮崎大 工) ,  前田幸治 (宮崎大 工)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 45  号： 12  ページ： 768-772  発行年： 2017年12月20日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・中赤外デバイス用の受光素子で利用される半導体材料として,III-V系材料に着目し,その結晶成長と性能評価について検討。
・GaAs基板上にMOVPE成長させたInAsSbバルク結晶での光吸収や,InAs基板上に形成したInAs/Ga(As)Sbへテロ構造超格子での発光特性を評価。
・GaAs/InAsSb構造では3~6μmの吸収端を確認し,MOVPE法での格子整合条件を見出して,2~5μm帯のフォトルミネッセンスを有する良好な結晶を実現。

シソーラス用語： 発光 ,  化合物半導体 ,  *結晶成長 ,  光ルミネセンス ,  MOCVD ,  格子整合 ,  ヒ化インジウム ,  光吸収 ,  吸収端 ,  超格子 ,  アンチモン化物 ,  *インジウム化合物 ,  ヒ化物 ,  ヒ化ガリウム ,  *赤外検出器
準シソーラス用語： III-V族化合物半導体 ,  InAsSb ,  中赤外線

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

引用文献 (16件)：

• T. Sato, M. Mitsuhara, N. Nunoya, T. Fujisawa, K. Kasaya, F. Kano, and Y. Kondo: IEEE Photon. Technol. Lett. 20 (2008)1045.
• M. Grau, C. Liu, O. Dier, C. Lauer, and M. C. Amann: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 241104.
• Y. Bai, N. Bandyopadhyay, S. Tsao, S. Slivken, and M.Razeghi: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 181102.
• I. Vurgaftman, C. L. Canedy, C. S. Kim, M. Kim, W. W. Bewley, J. R. Lindle, J. Abell, and J. R. Meyer: New J. Phys. 11 (2009) 125015.
• H. Miyoshi and Y. Horikoshi: J. Crystal Growth 227 (2001)571.

タイトルに関連する用語 (5件)： 受光素子 ,  Sb ,  系 ,  結晶成長 ,  評価