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J-GLOBAL ID：201802274265908635   整理番号：18A1045815

3ω法によるダイヤモンドとβ-Ga_2O_3薄膜の熱伝導率測定【JST・京大機械翻訳】

Thermal conductivity measurement of diamond and β-Ga₂O₃ thin films by a 3ω method

著者 (7件)： Suzuki Shinichiro (Dept. Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan) ,  Ohmagari Shinya (Advanced Power Electronics Research Center, The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ikeda, Osaka, Japan) ,  Akutsu Yusuke (Dept. Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan) ,  Okamoto Naoki (Dept. Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan) ,  Saito Takeyasu (Dept. Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture University, Sakai, Osaka, Japan) ,  Umezawa Hitoshi (Advanced Power Electronics Research Center, The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ikeda, Osaka, Japan) ,  Mokuno Yoshiaki (Advanced Power Electronics Research Center, The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Ikeda, Osaka, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICEP-IAAC  ページ： 583-584  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_2O_3は広いバンドギャップ材料として有望な候補の一つであり,SiCとGaNに対する潜在的利点を有している。Ga_2O_3の低い熱伝導率は主要な欠点であるが,Ga_2O_3薄膜の熱伝導率測定に関する報告はほとんどない。本研究では,単結晶および多結晶ダイヤモンドおよび単結晶β-Ga_2O_3[-201]自立基板の熱伝導率を3ω法により評価した。β-Ga_2O_3[-201],Ila型単結晶ダイヤモンド,および多結晶ダイヤモンドの熱伝導率として,それぞれ23.3,1810,および1380W/m-Kを得た。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  炭化ケイ素 ,  バンドギャップ ,  *薄膜 ,  *熱伝導率 ,  *ダイヤモンド ,  単結晶
準シソーラス用語： 単結晶ダイアモンド ,  多結晶ダイヤモンド ,  熱伝導率測定 ,  *3ω法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  発光素子  (NC03082G) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3ω法 ,  ダイヤモンド ,  薄膜 ,  熱伝導率測定