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J-GLOBAL ID：201802274442177223   整理番号：18A1698109

中空構造SOI層を用いた高効率低温転写技術のためのリソグラフィプロセスの構築

著者 (3件)： 平野友貴 (広大 院 先端研) ,  花房宏明 (広大 院 先端研) ,  東清一郎 (広大 院 先端研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19a-233-8  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *支柱 ,  *二酸化ケイ素 ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *フォトリソグラフィー ,  *間隙 ,  パターン転写 ,  半導体薄膜 ,  フレキシブル基板 ,  シリコン薄膜 ,  *位置ずれ ,  *立体
準シソーラス用語： *SiO2柱 ,  *光リソグラフィー ,  *中空構造SOI ,  *電子線リソグラフィー

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中空構造 ,  SOI ,  高効率 ,  低温 ,  転写 ,  リソグラフィプロセス ,  構築