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J-GLOBAL ID：201802274459730656   整理番号：18A0243011

有効ドーピング濃度理論:SOI基板上の二重RESURF横型パワーデバイスのための新しい物理的洞察【Powered by NICT】

Effective Doping Concentration Theory: A New Physical Insight for the Double-RESURF Lateral Power Devices on SOI Substrate

著者 (6件)： Zhang Jun (College of Electronic Science and Engineering) ,  Guo Yu-Feng (College of Electronic Science and Engineering) ,  Pan David Z. (National and Local Joint Engineering Laboratory for RF Integration and Micro-Packaging Technologies, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing, China) ,  Yang Ke-Meng (College of Electronic Science and Engineering) ,  Lian Xiao-Juan (College of Electronic Science and Engineering) ,  Yao Jia-Fei (College of Electronic Science and Engineering)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 2  ページ： 648-654  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重還元された表面場(D RESURF)法を用いて,ドリフト領域のドーピング濃度を増加させると高い絶縁破壊電圧を維持することを目的とした。しかし,従来の2-Dモデルはあまりにも複雑でその物理的意味をすることができなかった。D RESURF有効ドーピング濃度(EDC)理論は,セグメント化されたドープしたp-n接合を持つ洗練された2次元構造を等しくする単純な一次元RESURFモデルによるD RESURF効果の物理的洞察を調査するために,この論文で提案した。EDCはNPNP構造はPトップ領域の影響のために存在する可能性があることを示した。二電場谷と1つの電場ピークは表面上に形成することができる。理論に基づいて,一次元解析モデルを絶縁体横方向二重拡散MOSに及ぼすけい素の破壊機構に及ぼすD RESURF効果の影響を定性的に調べ,定量的に提示した。提案されたモデルによって得られた結果は,TCADシミュレーション結果と比較して十分に正確であることが分かった。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  ドリフト ,  一次元 ,  シミュレーション ,  接合 ,  絶縁体 ,  解析モデル ,  ケイ素 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： TCAD ,  LDMOS ,  二次元構造 ,  絶縁破壊電圧 ,  *パワーデバイス ,  *RESURF , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ドーピング ,  理論 ,  SOI基板 ,  RESURF ,  横型 ,  パワーデバイス ,  物理 ,  洞察