文献
J-GLOBAL ID:201802274461199469   整理番号:18A0715716

ドープしたポリチオフェン接合の大きな熱電効率:密度汎関数研究【JST・京大機械翻訳】

Large thermoelectric efficiency of doped polythiophene junction: A density functional study
著者 (3件):
資料名:
巻: 100  ページ: 31-39  発行年: 2018年 
JST資料番号: W1066A  ISSN: 1386-9477  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
Au(111)電極に結合したポリチオフェン(PT)の熱電特性を,非平衡Green関数形式による密度汎関数理論に基づいて研究した。特に,PT接合の熱電効率に及ぼすLiおよびCl吸着剤の影響を,PTの2つの長さに対するドーパントの異なる濃度で調べた。結果は,ドーパントの存在がオリゴマの構造変化をもたらし,分子レベルの配列を修飾し,接合の透過スペクトルの劇的な変化をもたらすことを示した。したがって,熱電素子としてドープされたPT接合を作るドーパントにより,熱電能の大きな増強とその結果としての性能指数が得られる。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
分子の電子構造  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  有機化合物の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る