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J-GLOBAL ID：201802274511620308   整理番号：18A1138602

物理蒸着n-ZnS/p-Si(100)ヘテロ接合のダイオード特性と空間電荷制限伝導に及ぼす熱アニーリングの影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of thermal annealing on the diode properties and space charge limited conduction of the physical vapor-deposited n-ZnS/p-Si(100) heterojunctions

著者 (4件)： Magallon Senados Kenneth (Department of Physics, College of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines) ,  Magallon Senados Kenneth (Department of Physics, College of Science and Mathematics, University of Science and Technology of Southern Philippines, Lapasan, Cagayan de Oro City 9000, Philippines) ,  Magdadaro Vequizo Reynaldo (Department of Physics, College of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines) ,  Magdadaro Vequizo Reynaldo (Premier Research Institute of Science and Mathematics, Mindanao State University - Iligan Institute of Technology, A. Bonifacio Ave., Tibanga, Iligan City 9200, Philippines)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 5  号： 7 P1  ページ： 15174-15179  発行年： 2018年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自家製の物理蒸着装置により堆積した成長したままのn-ZnS/p-Si(100)の素子性能に及ぼす熱アニーリングの影響を,暗電流測定下での室温でのI-V特性の解析により調べた。成長させたままと熱的にアニールした試料の両方が整流ダイオード様挙動を示し,逆バイアス下では,成長したままの試料において-15V以上の電圧で漏れ電流のアバランシェが観測されることを明らかにした。熱アニーリング後,ほぼ完全に消滅する漏れ電流と順方向電流の劇的な増加が示された。光の異なる波長(200~800nm)への試料の曝露は,UV(~339nm)および可視域(500,550および600nm)のいくつかの波長において有望な光検出特性を有する熱アニール試料を示した。成長させたままおよび熱的にアニールしたn-ZnS/p-Si(100)ヘテロ接合の電流輸送は,主に空間電荷制限伝導であり,表面および材料のバルク中に欠陥状態が存在する可能性がある。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 漏れ電流 ,  光検出 ,  *ダイオード ,  暗電流 ,  *物理蒸着 ,  *硫化亜鉛 ,  波長 ,  *ヘテロ接合 ,  電流 ,  電圧 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： 電流輸送 ,  逆バイアス ,  *熱アニーリング ,  *空間電荷制限伝導 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  ZnS ,  光感受性 ,  NSCLC

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 物理蒸着 ,  ZnS ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード特性 ,  空間電荷制限伝導 ,  熱アニーリング