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J-GLOBAL ID：201802274543532899   整理番号：18A2027894

THz-FEL照射下でのSiウエハ上のLipSS形成のその場観察【JST・京大機械翻訳】

In situ Observation of LIPSS Formation on Si Wafers under THz-FEL Irradiation

著者 (6件)： Nagashima T. (Faculty of Science and Engineering, Setsunan University, Osaka, 572-8508, Japan) ,  Irizawa A. (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Hashida M. (Graduate School of Science, Kyoto University, Kyoto, 606-8502, Japan) ,  Higashiya A. (Faculty of Science and Engineering, Setsunan University, Osaka, 572-8508, Japan) ,  Suga S. (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Osaka, 567-0047, Japan) ,  Sakabe S. (Graduate School of Science, Kyoto University, Kyoto, 606-8502, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： IRMMW-THz  ページ： 1-2  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ誘起周期的表面構造(LIPSS)の形成機構を調べるために,自由電子レーザ(THz-FEL)から放出された中心波長が約72±bμmの強いTHzパルスの照射下でのSiウエハ上のLIPSS形成のその場観察を行った。照射されたTHzパルスの数Nが±B50~70より小さい場合には,THzパルスの偏光にほぼ平行な±b3~4μmの周期をもつ微細なLIPSSが観測された。N>250では,30~40μmの周期を持つ粗い構造が出現した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 偏光 ,  パルス ,  表面構造 ,  *その場観察 ,  自由電子レーザ
準シソーラス用語： 形成機構 ,  レーザ誘起 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (3件)： FEL ,  Siウエハ ,  その場観察