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J-GLOBAL ID:201802274663698458   整理番号:18A1183452

光起電力電池におけるNi:ZnSの光ルミネセンスと応用

Photoluminescence and applications of Ni:ZnS in photovoltaic cells
著者 (4件):
資料名:
巻: 57  号:ページ: 052302.1-052302.5  発行年: 2018年05月 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  CODEN: JJAPB6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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過去50年の太陽光発電分野において膨大な量の開発がなされてきた。近年,半導体ナノ粒子の使用は,太陽電池の分野における研究に新しい影響と方向を与えた。これは量子ドット(QD)状態の半導体によって示される優れた光電子放出特性に起因する。ZnS QDは,それらの光電子放出特性がニッケルのようなドーパントの添加に対して知覚可能な変化を示す,さらなる興味深い特徴を示した。本研究では,光ルミネセンス(PL),透過型電子顕微鏡(TEM),X線光電子分光法(XPS)を用いて,Ni:ZnS薄膜に関する特性化研究を記述し,さらに,ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)を用いたハイブリッド太陽電池の吸収層としての性能を報告した。作製したNi:ZnSセルは,0.25±0.05%の変換効率,560mVのVOC,および0.11mA/cm2のJSCを示した。絶対変換効率は低い(わずか0.25%)が,ニッケルの添加は非ドープZnSと比較して100倍効率を改善することが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  半導体のルミネセンス 
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