文献

J-GLOBAL ID：201802274737964163   整理番号：18A1596988

新しいGeSnオン絶縁体基板上に作製したゲルマニウム-スズ(GeSn)p-チャネルフィン電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Germanium-Tin (GeSn) P-Channel Fin Field-Effect Transistor Fabricated on a Novel GeSn-on-Insulator Substrate

著者 (14件)： Lei Dian (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Lee Kwang Hong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Huang Yi-Chiau (Applied Materials, Sunnyvale, CA, USA) ,  Wang Wei (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Masudy-Panah Saeid (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Yadav Sachin (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Kumar Annie (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Dong Yuan (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Kang Yuye (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Xu Shengqiang (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Wu Ying (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Tan Chuan Seng (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Gong Xiao (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore) ,  Yeo Yee-Chia (Department of Electrical and Computer Engineering, National University of Singapore, Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 65  号： 9  ページ： 3754-3761  発行年： 2018年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム-スズ(GeSn)pチャネルフィン電界効果トランジスタ(p-FinFET)を新しいGeSn-on-絶縁体(GeSnOI)基板上に実現した。直接ウエハボンディング法を用いて高品質GeSnOI基板を形成し,300mmのGeSn/Ge/Siドナーウエハから層を転写した。原子間力顕微鏡,高分解能透過型電子顕微鏡,Raman分光,高分解能X線回折を用いて材料品質を調べた。作製したGeSn p-FinFETは,-0.05VのV_DS(200nmのL_CHと30nmのW_Fin),短いチャネル効果の良好な制御,および高い固有相互コンダクタンス(80nmのL_CHに対して-0.5VのV_DSでのG_m,int=702μS/μm)で79mV/10年の小さなサブ閾値スイング(S)を示した。GeSn p-FinFETについて低温移動度解析を行った。高い有効正孔移動度(μ_eff)(290Kで210cm2/Vs,5Kで398cm2/Vs)を達成した。本論文で示したGeSn p-FinFETは,すべての報告されたGeSn p-FETに対して,-0.5VのV_DSにおいて最高のG_m,int/S_すわったを示した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  *チャネル ,  移動度 ,  *FET【トランジスタ】 ,  品質 ,  低温 ,  *絶縁体 ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： 剪断波速度 ,  正孔移動度 ,  サブ閾値スイング ,  FinFET ,  HRTEM ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  作製 ,  ゲルマニウム ,  スズ ,  チャネル ,  フィン ,  電界効果トランジスタ