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J-GLOBAL ID：201802275249807747   整理番号：18A1211108

酸化物保護と強化された伝導率変調のためのダイオードクランプPシールドを用いたSiCトレンチIGBT【JST・京大機械翻訳】

SiC trench IGBT with diode-clamped p-shield for oxide protection and enhanced conductivity modulation

著者 (7件)： Wei Jin (Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China) ,  Zhang Meng (Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong) ,  Jiang Huaping (Dynex Semiconductor Ltd, Lincoln, UK) ,  To Suet (Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong) ,  Kim SungHan (Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China) ,  Kim Jun-Youn (Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China) ,  Chen Kevin J. (Dept. of ECE, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ISPSD  ページ： 411-414  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,SiCトレンチIGBTの実現可能なアプローチとして,ダイオードクランプpシールドを提案した。pシールドの導入により,トレンチコーナーの周りのゲート酸化物の高電場を効果的に抑制し,SiCトレンチゲートデバイスにとっての重要な特徴である。さらに,p-シールドはまた,Crssの減少とより良いスイッチング特性をもたらす。しかし,従来の接地p遮蔽(SiCトレンチMOSFETで広く採用されている)は,SiCトレンチIGBTのエミッタ側近傍の電子/正孔密度を著しく減少させる。本論文で提案したダイオードクランプp遮蔽構造は,オン状態でのp遮蔽の可能性がダイオードのターンオン電圧近くに高くなり,p遮蔽からの正孔の抽出が抑制されるので,この問題をうまく解決した。したがって,ダイオードクランプpシールドを持つ提案したSiCトレンチIGBTは,高い酸化物場を低減し,スイッチング特性を改善し,同時に低いKonを維持する。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *IGBT ,  接地 ,  正孔 ,  *酸化物 ,  *炭化ケイ素 ,  MOSFET ,  *ダイオード
準シソーラス用語： ターンオン電圧 ,  オン状態 ,  正孔密度 ,  スイッチング特性 ,  高電場 ,  ゲート酸化膜 ,  *トレンチ ,  *ダイオードクランプ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化物 ,  強化 ,  伝導率 ,  変調 ,  ダイオードクランプ ,  シールド ,  SiC ,  トレンチ ,  IGBT