Wei Jin について
Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China について
Zhang Meng について
Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong について
Jiang Huaping について
Dynex Semiconductor Ltd, Lincoln, UK について
To Suet について
Dept. of ISE, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong について
Kim SungHan について
Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China について
Kim Jun-Youn について
Innoscience Technology Co., Ltd, Zhuhai, China について
Chen Kevin J. について
Dept. of ECE, The Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong について
IEEE Conference Proceedings について
IGBT について
接地 について
正孔 について
酸化物 について
炭化ケイ素 について
MOSFET について
ダイオード について
ターンオン電圧 について
オン状態 について
正孔密度 について
スイッチング特性 について
高電場 について
ゲート酸化膜 について
トレンチ について
ダイオードクランプ について
トランジスタ について
酸化物 について
強化 について
伝導率 について
変調 について
ダイオードクランプ について
シールド について
SiC について
トレンチ について
IGBT について