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J-GLOBAL ID：201802275272059584   整理番号：18A0521037

パルス条件下での10kV4H-SiC PINダイオードのSilvacoベース電熱シミュレーション【Powered by NICT】

Silvaco-based electrothermal simulation of 10 kV 4H-SiC PI-N diode under pulsed condition

著者 (3件)： Pushpakaran B. (Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX 79409 USA) ,  Bayne S. (Army Research Lab, 2800 Powder Mill Road, Adelphi MD 20783 USA) ,  Ogunniyi A. (Army Research Lab, 2800 Powder Mill Road, Adelphi MD 20783 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PPC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p-i-nダイオードにおける炭化けい素技術の応用は,そのSi対応物に比較してはるかに薄いドリフト領域の厚さを持ついくつかのkVの阻止電圧までp-i-n整流器の開発を容易にした。Silvaco ATLASソフトウェアを用いて開発した10kV4H-SiC PINダイオードモデルの2D電熱シミュレーションに焦点を当てた。p-i-nダイオード構造は,16μmのセルピッチ100cm~2順方向電流密度用に設計し,10μm~2物理ベースモデルの活性領域は低電界移動度,キャリア-キャリア散乱,キャリア生成-再結合,なだれブレークダウン,および格子加熱を説明するために含まれた。デバイスモデルを定常状態と過渡状態でシミュレートした。p-i-nダイオードのパルスシミュレーションは5000cm~2までのピーク電流密度と5μsの幅のパルスを発生させるためのRLCリングダウン回路を用いて行った。ダイオードの逆回復特性を100cm~2の順方向電流密度を分析し,使用可能なスイッチング周波数制限を評価するためにターンオフdJ/dtを変化した。p-i-nダイオードの格子温度プロファイルは,パルス動作中の可能な破壊の熱ホットスポット形成と地域を同定するために過渡シミュレーション中の熱発生モデルを含めることにより発生させた。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  エレクトロマイグレーション ,  電圧 ,  *パルス ,  ドリフト ,  *ダイオード ,  整流器 ,  電流密度 ,  過渡現象 ,  ホットスポット ,  再結合 ,  *ケイ素 ,  二次元
準シソーラス用語： 定常状態 ,  *熱シミュレーション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルス ,  PINダイオード ,  電熱 ,  シミュレーション