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J-GLOBAL ID：201802275347413932   整理番号：18A0860122

1700V45mω SiC MOSFETのロバスト性研究【JST・京大機械翻訳】

Robustness study of 1700 V 45 mΩ SiC MOSFETs

著者 (4件)： Molin Quentin (Supergrid Institute, 21 rue Cyprian, Villeurbanne 69611 CEDEX, France) ,  Kanoun Mehdi (EDF R&D, Moret-sur-Loing 77818, France) ,  Raynaud Christophe (Univ Lyon, INSA Lyon, Ampe`re UMR 5005, F-69621, France) ,  Morel Herve (Univ Lyon, INSA Lyon, Ampe`re UMR 5005, F-69621, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： ICIT  ページ： 830-834  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 閾値電圧不安定性は,炭化ケイ素MOSFETトランジスタの主要な信頼性問題である。それは,それが産業電力応用のための時間速度における故障を与えるときに重要なパラメータである。この文脈において,JEDEC標準に基づく静的エージング試験を提案し,得られたゲート酸化物劣化を研究し,本論文で議論した。相補的試験を,ゲート上の動的信頼性を用いて実行し,得られた結果を用いて,SiC MOSFET信頼性基準の現在の議論に対する洞察を加えた。さらに,テストベンチおよび特性化プロトコルについて詳述した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電力応用 ,  プロトコル ,  信頼性 ,  *ロバスト性 ,  キャラクタリゼーション ,  不安定性 ,  *MOSFET ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： テストベンチ ,  ゲート酸化膜 ,  閾値電圧 ,  *SiC MOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  MOSFET ,  ロバスト性 ,  研究