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J-GLOBAL ID：201802275423855463   整理番号：18A0407795

電界効果トランジスタの応用のための金属半金属薄膜【Powered by NICT】

Metal metalloid thin film for the application of field effect transistor

著者 (3件)： Arora Swati (Swami Keshvanand Institute of Technology, M&G Vivekananda Global University, Jaipur, India) ,  Vijay Y. K. (Vivekananda Global University, Jaipur, India Jaipur, India) ,  Panwar Hemlata (Swami Keshvanand Institute of Technology, M&G Jaipur, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICICIC  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属セレン薄膜金属半導体電界効果薄膜トランジスタとして調製した。金属(Al/Cu)接触と半金属(Se)チャンネルは,ソース,ドレインおよびゲートAl/Cu接触を堆積させることによってガラス基板上に電界効果トランジスタとして使用した。金属ゲートからソース/ドレインへの電荷の流れを制御するために用いた。空乏幅を変化させることにより層チャネルはソースとドレインの間の電流の流れを起こす導電性チャネルの厚さを調節する金属接触を用いて制御した。FET構造のソースとドレインはCuは真空蒸着装置を用いた10~ 5Torrの圧力で熱蒸着法により定義された接触パターン中のSeに連続的に蒸着した金属層によって定義した。その電気的および構造的性質を特性化した。このデバイスはゲートとソース(VGS)の間に適用された可変ポテンシャルによる電流の流れを制御するために使用され,自由電荷蓄積は半導体界面で誘導された。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造特性 ,  半導体 ,  *金属薄膜 ,  アルミニウム ,  *電場効果 ,  *半金属 ,  銅 ,  薄膜トランジスタ ,  電流 ,  セレン ,  真空蒸着 ,  *FET【トランジスタ】 ,  帯電
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  *半金属薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  応用 ,  半金属薄膜