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J-GLOBAL ID：201802275570098585   整理番号：18A0511845

種々の温度でアニールしたn型GaN上の透明Ag/ITO Schottky接触の障壁高さの不均一性【Powered by NICT】

Inhomogeneity of barrier heights of transparent Ag/ITO Schottky contacts on n-type GaN annealed at different temperatures

著者 (4件)： Yoon Su-Jung (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Lee Jeeyun (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Nanophotonics, Korea University, Seoul 02841, South Korea) ,  Seong Tae-Yeon (Department of Materials Science and Engineering, Korea University, Seoul 02841, South Korea)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 742  ページ： 66-71  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： はオプトエレクトロニクスおよび透明電子素子のためのn-GaN(n_=5×10~18cm~ 3)上の高障壁高さと透明Ag/ITO Schottky接触の形成について報告する。種々の温度でアニールした試料の熱電子放出モデルに基づく電流-電圧特性を用いた計算は,0.31 0.37eVの小さいSchottky障壁高さ(SBH)と1.84 2.19の理想因子を示した。通常の活性化エネルギープロットは理論値よりも非常に小さいRichardson定数を示した。このような異常を理解するために,修正Richardsonプロット,Gauss分布の横方向SBH変動のモデル,及び容量-電圧法を用いた,それらのSBHは0.74 0.93eVの範囲であると推定した。温度依存SBHと理想因子と共に,これらの結果は,SBH挙動は界面における障壁の不均一性の観点から説明できることを意味している。500°CでアニールしたAg/ITO試料は560nmで80.9%を透過した。試料の界面からのX線光電子分光法(XPS)Gaの2p内殻準位スペクトルは高くなるか低くなるかエネルギー側にシフトした。500°Cでアニールすると走査型透過電子顕微鏡(STEM)-エネルギー分散X線分光マッピングの結果は,n-GaNからのGa原子の外方拡散を明らかにした。電気的,XPSおよびSTEM結果に基づいて,SBHの焼鈍温度依存性を記述し,議論した。Copyright 2018 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 焼なまし ,  *不均一性 ,  熱電子放出 ,  X線光電子分光法 ,  電圧 ,  *ガリウム ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  正規分布 ,  *窒化ガリウム ,  界面 ,  Schottky障壁 ,  *銀
準シソーラス用語： 理想因子 ,  *障壁高さ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ag/ITO ,  透明性 ,  Schottky障壁 ,  Ga空格子点 ,  X線光電子放出分光法

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： アニール ,  GaN ,  Ag ,  ITO ,  Schottky接触 ,  障壁高さ ,  不均一性