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J-GLOBAL ID：201802275873297091   整理番号：18A0932037

Cu/Ta₂O₅/Ptギャップレス型原子スイッチの生成過程における律速過程とその活性化エネルギー

The rate limiting process and its activation energy in the forming process of a Cu/Ta₂O₅/Pt gapless-type atomic switch

著者 (3件)： SHIGEOKA Yuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 57  号： 3  ページ： 035202.1-035202.4  発行年： 2018年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 作成した状態のCu/Ta₂O₅/Pt原子スイッチのスイッチング時間を周囲温度とTa₂O₅厚さの関数として計ることで,形成過程と呼ばれる最初の抵抗スイッチングにおける律速過程を決定した。温度依存性はArrhenius式に良く合い,ある種の活性化過程がスイッチング現象を支配することを示唆した。スイッチング時間はTa₂O₅厚さが増加すると直線的に増加した。結果は,律速過程がTa₂O₅層におけるCuカチオンのドリフトであることを明確に示唆した。活性化エネルギーは0.4eVであると決めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： スイッチ ,  *スイッチング ,  *律速 ,  Arrheniusの式 ,  *活性化エネルギー ,  *銅 ,  カチオン ,  ドリフト ,  *酸化タンタル ,  *白金 ,  *MIM構造 ,  *電気抵抗 ,  依存性 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 原子スイッチ ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

引用文献 (31件)：

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タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Ta2O5 ,  Pt ,  ギャップレス ,  原子スイッチ ,  過程 ,  律速過程 ,  活性化エネルギー