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J-GLOBAL ID：201802275876662556   整理番号：18A0537938

5Gモバイル応用のための45nm SOI CMOSにおける2838GHz RFスイッチのESD保護の影響【Powered by NICT】

A study of impacts of ESD protection on 28/38GHz RF switches in 45nm SOI CMOS for 5G mobile applications

著者 (7件)： Wang Chenkun (University of California, Riverside, CA, 92521, USA) ,  Lu Fei (University of California, Riverside, CA, 92521, USA) ,  Chen Qi (University of California, Riverside, CA, 92521, USA) ,  Zhang Feilong (University of California, Riverside, CA, 92521, USA) ,  Li Cheng (University of California, Riverside, CA, 92521, USA) ,  Wang Dawn (Global Foundries, USA) ,  Wang Albert (University of California, Riverside, CA, 92521, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2018  号： RWS  ページ： 157-160  発行年： 2018年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5~世代移動ネットワーク(5G)モバイル応用のための45nm SOI CMOSで設計した28GHz/38GHz RFスイッチ上のオンチップ静電放電(ESD)保護の影響の最初の研究を報告した。5ダイオードダイオードストリングとシリコン制御整流器(SCR)ESD保護構造を持つ単極双投(SPDT)スイッチを作製し特性化した。測定と解析は,SPDT挿入損失とアイソレーションに及ぼすESD誘起寄生効果の重大な影響を明らかにした。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *CMOS ,  挿入損 ,  キャラクタリゼーション ,  *スイッチ ,  *携帯電話 ,  サイリスタ
準シソーラス用語： 寄生効果 ,  SPDT ,  静電気放電 ,  オンチップ ,  モバイルネットワーク ,  *ESD保護 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  継電器・スイッチ  (NA05060K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 5G ,  モバイル ,  応用 ,  SOI ,  CMOS ,  RFスイッチ ,  ESD保護