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J-GLOBAL ID:201802275944359460   整理番号:18A0446798

積層ナノシートゲートオールアラウンドトランジスタのための高k金属ゲート基本学習とマルチV_tオプション【Powered by NICT】

High-k metal gate fundamental learning and multi-Vt options for stacked nanosheet gate-all-around transistor
著者 (21件):
資料名:
巻: 2017  号: IEDM  ページ: 22.1.1-22.1.4  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,積層ナノシートゲートオールアラウンド(GAA)トランジスタのための多閾値電圧(多重Vt)オプションを報告した。V_tは仕事関数金属(WFM)厚さ並びに内部ナノシート間隔(T_sus)の組み合わせは,FinFET CMOSデバイスメニュー,V_t同調オプションとしてT_susを持たない基本的にCMOSデバイスメニュー以内で,未ドープV_t提供の数を増加させるために利用できるによって調節することができた。積層GAAトランジスタのユニークな構造を利用することにより,著者らの多V_t方式を提案した。Copyright 2018 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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長さ,面積,断面,体積,容積,角度の計測法・機器  ,  計算理論 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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